第465期|3nm制程突破：新莱应材如何用气体管控破局半导体洁净“卡脖子”?

当芯片制程向3纳米乃至18埃米冲刺时，微观世界的“洁净之战”正成为制程突破的隐形门槛，微米级颗粒、微量金属离子都可能成为电路失效的隐患。
过去聚焦关键腔室的洁净管控模式，在需要构建四五百层结构的先进工艺前渐显乏力。行业数据显示，3纳米制程良率若波动5%~10%，年损失或达1亿美元，这让洁净防线不得不延伸至每个组件。
本期我们邀请到参与国内外气体管控标准制定的范志旻博士，他将拆解洁净技术从通用型到先进工艺级的升级逻辑，解析材料处理、组件控制背后的“洁净密码”。透过这些藏在芯片制造深处的技术细节，或许能让我们了解制程突破的底层支撑的必要性。

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