EUV im Fokus

EUV The Focal Point - Team

EUV The Focal Point ist dein Podcast rund um Extreme-Ultraviolett-(EUV-)Lithografie. Industry Briefings: Behandeln Technologieknoten, DRAM, HBM und strategische Entwicklungen von ASML & Co. sowie von Endkunden wie Apple & Co. Focus Deep Dives: Erklären Physik, Plasma, Optik und wie EUV-Scanner wirklich funktionieren. Moderiert von EUV-Experten Samantha und Jack, vollständig mit KI erstellt (eine Technologie, die es selbst ohne EUV nicht gäbe ;-), auf Basis von Unternehmens-Newsrooms, Wikipedia und Nachrichtenseiten. KI kann Fehler machen: Bitte alle Infos vor Verwendung eigenständig prüfen.

  1. vor 4 Tagen

    [069] Industrie Briefing - EUV im Fokus

    Dieser Beitrag wurde mithilfe von KI erstellt. Bitte prüfen Sie die Informationen, wenn Sie diese als Grundlage für Entscheidungen verwenden möchten. ASML und TSMC liefern neue Belege zur Ausrüstungskapazität und zur Nachfrage nach fortgeschrittenen Fertigungsknoten. Die Vertiefung untersucht anhand eines ausdrücklich hypothetischen Beispiels, wie schnellere Maskenberechnungen Entwicklungszeiten verkürzen oder Prozessspielräume verbessern können. Kernaussagen - ASML erwartet, dass das geplante Angebot 2027–2028 nicht ausreicht, und untersucht für 2028 ein Kapazitätswachstum über 30%; die Mitteilung nennt keine neue Stückzahl. - TSMC meldete 46,72 Milliarden US-Dollar Quartalsumsatz; 2 nm und 3 nm trugen 8% beziehungsweise 33% zum Waferumsatz bei. Umsatzanteile sind keine Wafermengenanteile. - Microsoft plant Maia 300 mit N2P-Rechenchiplets, acht HBM4-Stacks und dem Einsatz in Produktionsumgebungen ab 2027. - SEMI prognostiziert für 300-mm-Frontend-Ausrüstung 149 Milliarden US-Dollar Ausgaben 2026 und 227 Milliarden 2029; dies sind keine EUV-spezifischen Prognosen. - Applied strebt bis 2030 mehr als eine Verdopplung der Forschungs- und Fertigungskapazität an; die EPIC-Investitionen sollen schrittweise etwa 5 Milliarden US-Dollar erreichen. - Siemens meldet bis zu 12-fache Beschleunigung bei Full-Chip-OPC und separat 10–17-fache Beschleunigung ausgewählter Simulationen; der Umfang der Benchmarks unterscheidet sich. - NVIDIA berichtet über eine Verbesserung des imec-Prozessfensters um 30% in einer bestimmten Anwendung computergestützter Lithografie; dies ist keine allgemeine Produktionsgarantie. - Hypothetische Rechnung: Werden acht Tage eines zehntägigen Ablaufs um den Faktor 10 beschleunigt, sinkt die Gesamtzeit auf 2,8 Tage, entsprechend etwa Faktor 3,6. Dies ist kein gemessenes Kundenergebnis. - Die wirtschaftliche Bewertung muss frühere Einsatzbereitschaft von zusätzlicher Optimierung unterscheiden und Einführungskosten sowie gemessene Waferergebnisse berücksichtigen. Glossar EUV — Extrem-ultraviolette Lithografie zur Strukturierung kritischer Halbleiterschichten. High-NA — Hohe numerische Apertur; eine EUV-Optikplattform mit höherer numerischer Apertur. N2P — TSMC-Prozessbezeichnung für eine weiterentwickelte Generation der 2-nm-Technologiefamilie. HBM4 — Vierte Generation von High Bandwidth Memory. OPC — Optical Proximity Correction; Maskenanpassungen zur Kompensation von Abbildungsverzerrungen. ILT — Inverse Lithography Technology; rechnerische Optimierung mit größerer Freiheit bei der Maskengeometrie. Prozessfenster — Betriebsbereich, in dem ein Muster festgelegte Akzeptanzkriterien erfüllt. EPIC — Equipment and Process Innovation and Commercialization Center. End-to-End-Benchmark — Messung eines vollständig definierten Ablaufs statt einer einzelnen beschleunigten Berechnung.

  2. vor 4 Tagen

    [068] Deep Dive Topic - ASML Q3 2026 Deep Dive

    Dieser Beitrag wurde mit KI erstellt. Bitte überprüfen Sie die Informationen, wenn Sie sie als Grundlage für Entscheidungen verwenden möchten. Die Ergebnisse von ASML für das dritte Quartal 2026 verbinden einen Rekordumsatz mit einer ungewöhnlichen technischen Herausforderung: Das Unternehmen geht davon aus, dass die geplante Anlagenproduktion 2027 und 2028 die Kundennachfrage nicht vollständig decken wird. Wir betrachten den gesamten Quartalsbericht – von Margen und Cashflow über DUV-Systeme und Upgrades bis zu regionalen Umsätzen – mit besonderem Schwerpunkt auf der EUV-Lithografie. Im Kern geht es darum, wie Scanner-Durchsatz, High-NA-Optik, Fotomasken und Messtechnik die tatsächlichen Kosten der Fertigung modernster Chips bestimmen. WICHTIGSTE ERKENNTNISSE - ASML meldete für Q3 einen Umsatz von 11,662 Milliarden Euro und eine Bruttomarge von 57,5 %. Der Nettogewinn von 4,960 Milliarden Euro enthielt einen Bewertungsgewinn von etwa 0,5 Milliarden Euro auf die ursprüngliche Beteiligung an Mistral AI. - EUV steuerte rund 4,1 Milliarden Euro zum Systemumsatz von 8,4 Milliarden Euro bei, darunter ein High-NA-System. Im Quartal wurden 17 EUV-Lithografiesysteme verkauft. - Das Geschäft mit der installierten Basis trug 3,289 Milliarden Euro bei. Die Nachfrage nach Produktivitäts-Upgrades für EUV und DUV führte zu einem Ergebnis über der Prognose und stärkte die Bruttomarge. - Auf Logikanwendungen entfielen 54 % und auf Speicheranwendungen 46 % des Systemumsatzes. Bei den Lieferzielen lagen Taiwan und Südkorea vorn; China machte 23 % des Systemumsatzes in Q3 aus, nicht 23 % des Gesamtumsatzes. - ASML rechnet 2026 mit einer Produktion von ungefähr 65 Low-NA-EUV-Systemen. Weil die geplante Kapazität voraussichtlich nicht für die Nachfrage ausreichen wird, prüft das Unternehmen einen weiteren Ausbau für 2028. - Für das geplante NXE:3800F steigt der spezifizierte Durchsatz bei Low-NA-EUV von 230 auf 260 Wafer pro Stunde. Die tatsächliche Fabrikleistung hängt außerdem von Verfügbarkeit, Belichtungsdosis des Fotolacks und dem übrigen Prozessablauf ab. - High NA erhöht die numerische Apertur von EUV von 0,33 auf 0,55. Das verbessert die optische Auflösung, verkleinert jedoch den Fokusspielraum und erschwert Bildfeldgröße sowie Ausrichtung. - Intel und ASML meldeten mehr als eine Million mit High NA bearbeitete Wafer – einschließlich Forschung, Qualifizierung und ausgewählter Serienfertigung. Samsung und TSMC verfolgen eigene zukünftige Einführungsziele. - ASML und TSMC treiben großformatige EUV-Masken voran: Zieltermine sind eine Pilotlinie 2031 und Produktionsreife 2033. Der in einer Präsentation genannte mögliche Produktivitätsgewinn von mehr als 40 % ist ein Zukunftsszenario und keine im dritten Quartal realisierte Leistung. - ASML prognostiziert für das Gesamtjahr 2026 einen Umsatz von 44 bis 45 Milliarden Euro bei rund 56 % Bruttomarge. Der hohe freie Cashflow des Quartals profitierte von Kundenanzahlungen und darf nicht mit dem Gewinn gleichgesetzt werden. GLOSSAR - EUV (Extrem-Ultraviolett-Lithografie): Strukturbelichtung mit Licht von 13,5 Nanometern Wellenlänge und reflektierender Optik im Vakuum. - DUV (Deep-Ultraviolet-Lithografie): UV-Lithografieverfahren, darunter 193-Nanometer-Immersionsanlagen für viele Chipebenen. - Numerische Apertur (NA): Maß dafür, wie viel schräg einfallendes, gebeugtes Licht ein optisches System erfassen kann - High-NA-EUV: EUV-Plattform mit einer numerischen Apertur von 0,55 statt 0,33 bei der etablierten Low-NA-EUV-Technologie. - Fotomaske / Retikel: Strukturierter optischer Träger der Schaltungsvorlage, die auf den Wafer projiziert wird. - Anamorphotische Optik: Optisches System, das die Maske entlang zweier Achsen unterschiedlich stark verkleinert abbildet. - Overlay (Überlagerungsgenauigkeit): Genauigkeit der Ausrichtung neuer Strukturen an bereits vorhandenen Waferlagen. QUELLEN ASML Q3 2026 quarterly results hub — https://investor.asml.com/quarterly-results

    [068] Deep Dive Topic - ASML Q3 2026 Deep Dive

  3. 12. Okt.

    [067] Industrie Briefing - EUV im Fokus

    Dieser Beitrag wurde mithilfe von KI erstellt. Bitte prüfen Sie die Informationen, wenn Sie diese als Grundlage für Entscheidungen verwenden möchten. Neue Zahlen von TSMC und Samsung unterstreichen das Ausmaß der Halbleiternachfrage, während GlobalFoundries einen terminierten Ausbau der Interposer-Versorgung für TSMC ankündigt. Der Schwerpunkt untersucht die wichtigste offene Einschränkung der Hyper-NA-Studie: das kleinere Fokusbudget und den Bedarf an dünneren Resists. Die Weiterverwendung bestehender Architektur könnte die Umstellungskosten begrenzen; der Optikvorschlag ist jedoch keine Zusage für eine kommerzielle Produktion. Kernaussagen - TSMC meldete für September einen Umsatz von 511,86 Milliarden NT-Dollar, 54,6 % mehr als im Vorjahr und 0,6 % weniger als im Vormonat; der Umsatz von Januar bis September wuchs um 41,1 %. - Samsungs vorläufige Q3-Prognose nennt 195 Billionen Won Konzernumsatz und 107,4 Billionen Won operativen Gewinn, gegenüber 12,17 Billionen Won Gewinn im Vorjahr; dies sind Schätzungen, keine endgültigen oder foundryspezifischen Ergebnisse. - Die SIA meldete bis August mehr als 1 Billion US-Dollar Umsatz; der August-Wert von 159,7 Milliarden US-Dollar, 8 % mehr als im Vormonat, basiert auf einem gleitenden WSTS-Dreimonatsdurchschnitt. - Reuters berichtete über AMDs geplante erhebliche Angebotsausweitung 2027 und den Bedarf an zusätzlicher fortgeschrittener Waferkapazität; die Aussagen enthielten keine Zusage zu Wafervolumen, Knotenzuordnung oder einem neuen Fab. - GlobalFoundries kündigte eine Vereinbarung mit TSMC über 2 Milliarden US-Dollar für CoWoS-Silizium-Interposer an, mit zunächst fünf Jahren Laufzeit und erwartetem Volumenhochlauf in Malta, New York, im ersten Halbjahr 2028; dies ist Kapazität für Packaging-Komponenten. - Die Hyper-NA-Studie vom 1. Oktober schlägt mindestens 0,75 numerische Apertur bei 13,5 nm und etwa 5 nm optischen Half-Pitch vor; die Entwicklungsschätzung von ungefähr zehn Jahren ist kein zugesagter Liefertermin. - Die Studie nennt eine gegenüber 0,55 NA ungefähr halbierte idealisierte Schärfentiefe, die bessere Fokusregelung und dünnere Resists erfordert; tatsächliche Prozessfenster bleiben musterabhängig. - Die Weiterverwendung der Quelle lässt den künftigen Leistungsbedarf offen; Polarisation kann den Kontrast verbessern, kostet aber Photonen, und ein vorgeschlagenes Mikrobelichtungssystem mit 0,75 NA könnte die Resistentwicklung unterstützen. - ASML und TSMC planen Q3-Ergebnisse am 14. beziehungsweise 15. Oktober; relevant sind Produktionsprognosen, Kapazität fortgeschrittener Knoten und Packaging-Umsetzung sowie gemessene Hyper-NA-Resist- und Fokusdaten. Glossar EUV — Lithografie mit extrem ultraviolettem Licht; der Vorschlag behält die Wellenlänge von 13,5 nm bei. High-NA — EUV mit hoher numerischer Apertur; die 0,55-NA-Plattform dient in der Studie als Vergleich. Hyper-NA — Vorgeschlagene EUV-Architektur mit einer numerischen Apertur von mindestens 0,75. Half-Pitch — Halber Wiederholungsabstand eines periodischen Musters; von kommerziellen Knotennamen zu unterscheiden. Schärfentiefe — Axiale Abbildungstoleranz; ein idealisierter optischer Wert ist kein vollständiges Fertigungsprozessfenster. Resist — Lichtempfindliche Strukturierungsschicht; eine geringere Dicke verändert Photonenabsorption und Anforderungen an die Musterübertragung. Kantenplatzierungsfehler — Abweichung einer realisierten Strukturkante von ihrer vorgesehenen Position. Mikrobelichtungssystem — Forschungssystem mit kleinem Belichtungsfeld zur Materialentwicklung unter künftigen optischen Bedingungen. CoWoS — Chip on Wafer on Substrate, TSMCs Plattform für fortgeschrittenes Packaging.

  4. 5. Okt.

    [066] Industrie Briefing - EUV im Fokus

    Dieser Beitrag wurde mithilfe von KI erstellt. Bitte prüfen Sie die Informationen, wenn Sie diese als Grundlage für Entscheidungen verwenden möchten. Microns Ergebnisse vom 30. September liefern eine konkrete Fortsetzung des Investitionsausblicks der letzten Folge, während Samsung einen höheren Anteil der DRAM-Waferkapazität für HBM erwartet. Diese Folge untersucht, wie Take-or-pay-Verpflichtungen die Investitionsplanung verbessern und warum Produktmix, Qualifizierung und Liefertermine weiterhin die Auswirkungen auf EUV bestimmen. Kernaussagen - Micron meldete für das vierte Quartal des Geschäftsjahres 2026 einen Umsatz von 54,23 Milliarden US-Dollar und für das Gesamtjahr Nettoinvestitionen von 27,37 Milliarden US-Dollar; Finanzwachstum ist kein Maß für physische Kapazität. - Micron erwartet etwa 25 Milliarden US-Dollar Nettoinvestitionen im ersten Halbjahr des Geschäftsjahres 2027 und höhere Ausgaben im zweiten Halbjahr; 25 Milliarden US-Dollar sind nicht das Gesamtjahresbudget. - Samsungs Kim Taewoo erwartet für 2027 eine HBM-Belegung von nahezu 30 % der branchenweiten DRAM-Waferkapazität gegenüber derzeit etwa 20 %; dies ist eine Erwartung, kein Markt- oder Bitanteil. - Micron meldet 26 mehrjährige Take-or-pay-SCAs, die voraussichtlich über 35 % des Umsatzes bis 2030 abdecken; einige Vereinbarungen reichen bis 2031. - Micron bezeichnet 1-gamma als seinen größten DRAM-Produktionsknoten; die Technologiedokumentation bestätigt den EUV-Einsatz. - Laut Micron liegt die Reinraumvorbereitung für HBM-Packaging in Singapur vor dem Plan, mit erwartetem erstem Output Anfang des Kalenderjahres 2027; Packaging ist von der Front-end-Waferkapazität zu unterscheiden. - Der Ausblick vom 28. September ist hinsichtlich der Ausgaben teilweise beantwortet; ein präziser Micron-HBM4E-Produktionstermin ist in den hier verwendeten Quellen weiterhin nicht belegt. - Analyse: Die Umrechnung vertraglich gebundener Bits in Belichtungsbedarf erfordert Annahmen zu Produktmix, Bits pro Wafer, Ausbeute und Strukturierungsablauf. - Neue relevante Nachrichten konzentrierten sich auf Speicher; bereits behandelte Berichte zu A14-Pilotfertigung und Silizium-Waferpreisen wurden aus dem Nachrichtenteil ausgeschlossen. Glossar EUV — Extreme Ultraviolet, Lithografie mit extrem ultraviolettem Licht zur Strukturierung ausgewählter kritischer Halbleiterschichten. HBM — High Bandwidth Memory, ein gestapeltes DRAM-Produkt für hohe Datenbandbreite. DRAM — Dynamic Random-Access Memory, flüchtiger Speicher für Computersysteme. SCA — Strategic Customer Agreement; Micron bezeichnet damit seine mehrjährigen Liefervereinbarungen mit Kunden. Take-or-pay — Vertragliche Pflicht, eine vereinbarte Menge abzunehmen oder die erforderliche Zahlung zu leisten, gemäß den Vertragsbedingungen. Nettoinvestitionen — Investitionsausgaben nach den relevanten Abzügen; Microns Prognose berücksichtigt erwartete staatliche Fördermittel. 1-gamma — Microns EUV-gestützte DRAM-Technologiegeneration, auch 1γ geschrieben. Front-end-Kapazität — Kapazität zur Waferfertigung, getrennt vom anschließenden Packaging und der Montage. Qualifizierung — Prüfung, ob ein Produkt oder Fertigungsprozess die relevanten Anforderungen vor einem breiteren Einsatz erfüllt.

  5. 28. Sept.

    [065] Industrie Briefing - EUV im Fokus

    Dieser Beitrag wurde mithilfe von KI erstellt. Bitte überprüfen Sie die Informationen, wenn Sie sie als Grundlage für Entscheidungen verwenden möchten. TSMCs A14-Programm wird operativer: Der gemeldete Pilotzeitplan rückt nach vorn, während sich das Design-Ökosystem mit zertifizierten Flows, Interface-IP und Aktivitäten rund um Kunden-Testchips füllt. Gleichzeitig zeigt der gemeldete Preisdruck bei 300-Millimeter-Wafern, dass sich die KI-getriebene Knappheit tiefer in die Fertigungslieferkette verlagert. Für EUV ist die Konsequenz wichtig: Mehr kurzfristiger Druck auf die etablierte EUV-Flotte bedeutet nicht, dass TSMC den High-NA-Produktionseinsatz vorzieht. Kernaussagen - TrendForce berichtet, dass TSMC die A14-Pilotproduktion in Baoshan bereits im 1. Quartal 2027 beginnen könnte, während das Ziel für die Volumenproduktion weiterhin 2028 ist. - Cadence und Synopsys haben auf dem TSMC North America OIP Ecosystem Forum 2026 zertifizierte EDA-Flows für TSMC A14 angekündigt. - Cadence zufolge wurde UCIe-64G-IP auf A14 bereits getaped-out, ein konkreter Interface-IP-Meilenstein für das Design-Ökosystem des Nodes. - Analog Bits zufolge wird die eigene IP in einem kommenden Kunden-Testchip-Tapeout auf TSMC A14 enthalten sein. - Siemens und TSMC heben KI-gestützte automatisierte DRC-Korrekturen hervor, um manuelle Designiterationen zu reduzieren und die Zeit bis zum Tapeout zu verkürzen. - TrendForce berichtet, dass die Preise neuer Langfristverträge für 12-Zoll-Wafer 2027 bei Epitaxie-Wafern um etwa 15–25 % und bei polierten Wafern um mehr als 40 % steigen könnten. - Die gemeldete Beschleunigung des A14-Pilotprogramms ändert nichts an TSMCs kürzlich genanntem Start von High-NA EUV in der Hochvolumenfertigung ab 2030. - In dieser Woche wurde keine neue ASML-Scanner-Auslieferungszahl bekanntgegeben; die stärksten EUV-Signale kamen aus der A14-Reife und der vorgelagerten Wafer-Versorgung. Glossar Extreme Ultraviolet (EUV) — Lithografie mit 13,5-Nanometer-Licht für die anspruchsvollsten Strukturierungsschichten in fortschrittlicher Logik und Speicherfertigung. High Numerical Aperture (High-NA) EUV — ASMLs nächste EUV-Plattformgeneration mit höherer numerischer Apertur für engere Strukturen in einer Einzelbelichtung. A14 — TSMCs fortschrittliche Logikprozessgeneration, deren Volumenproduktion für 2028 geplant ist. Electronic Design Automation (EDA) — Softwarewerkzeuge zum Entwurf, zur Verifikation, Implementierung und Sign-off-Prüfung integrierter Schaltungen. Design Rule Check (DRC) — Prüfung, ob ein Chiplayout die Fertigungsregeln der Foundry einhält. Tapeout — Zeitpunkt, an dem ein Chipdesign für Maskenerstellung und Fertigung finalisiert wird. Long-Term Agreement (LTA) — Mehrperiodiger Liefervertrag zur Absicherung von Versorgung, Preis oder beidem. 300-Millimeter-Wafer — Standard-Siliziumsubstratdurchmesser für den Großteil der fortschrittlichen Halbleiterfertigung.

  6. 21. Sept.

    [064] Industrie Briefing - EUV im Fokus

    Dieser Beitrag wurde mit KI erstellt. Bitte überprüfen Sie die Informationen, wenn Sie sie als Grundlage für Entscheidungen verwenden möchten. Die nächste EUV-Herausforderung für ASML ist zunehmend industrieller statt optischer Natur: Die gemeldete Produktionskapazität für 2028 könnte mehr als 110 Systeme erreichen, während das Unternehmen offenbar an seiner bestehenden lasererzeugten Plasmaquelle festhält, statt auf Freie-Elektronen-Laser umzusteigen. Gleichzeitig prüft SK hynix Optionen für eine Front-End-Fertigung in den USA, TSMCs 2-Nanometer-Knoten gewinnt mehrere Kunden im Premium-Smartphone-Segment, und CXMT erklärt, dass seine neueste DRAM-Plattform ohne EUV in die Massenproduktion gegangen ist. Kernaussagen - Reuters zufolge prüft ASML Möglichkeiten, 2028 mehr als 110 EUV-Systeme zu produzieren; die Geschwindigkeit der Endmontage soll derzeit der wichtigste Engpass sein. - Laut JPMorgans ASML-Auswertung steigt die EUV-Intensität pro Chip, während die High-NA-Einführung 2028 beginnt und im folgenden Jahrzehnt deutlich an Bedeutung gewinnt. - SiliconReport berichtet unter Berufung auf JPMorgan, dass ASML voraussichtlich keinen Freie-Elektronen-Laser einsetzen wird und stattdessen lasererzeugtes Plasma in Richtung rund 1.000 Watt skaliert. - SK hynix und Intel sprechen über eine mögliche Speicherfertigung in den USA unter Nutzung von Intels Standort in Ohio; SK hynix betont jedoch, dass weder ein Plan noch eine Partnerschaft finalisiert wurde. - Solidigm prüft separat eine NAND-Fabrik in den USA, wobei der Bundesstaat New York als führender Standortkandidat genannt wird; eine Investitionsentscheidung ist noch nicht gefallen. - MediaTeks Dimensity 9600 Pro nutzt TSMCs 2-Nanometer-Prozess, während Apples A20 Pro einen zweiten großen Nachfrageanker aus dem Premium-Smartphone-Markt für die 2-Nanometer-Produktion schafft. - CXMT erklärt, dass seine DRAM-Plattform der fünften Generation mit Quadruple Patterning in Massenproduktion ist, mit 11,95 Nanometern Strukturabstand und mindestens 50 Prozent mehr Brutto-Dies pro Wafer als bei der vorherigen Plattform. - Micron und seine taiwanische Gewerkschaft haben eine erste Schlichtungsrunde ohne gemeldete Produktionsunterbrechung abgeschlossen; eine zweite Runde ist für den 22. Oktober angesetzt. - Unklarer Punkt: Produkttyp, Eigentümerstruktur, Zeitplan und Lithografieanforderungen eines möglichen US-Speicherprojekts von SK hynix und Intel wurden nicht offengelegt. Glossar EUV — Extreme-Ultraviolet-Lithografie, die 13,5-Nanometer-Belichtungstechnologie für die Strukturierung führender Halbleiterprozesse. High-NA — High Numerical Aperture EUV, ASMLs höher auflösende EUV-Plattform, die zunächst selektiv in die Produktion eingeführt wird und später im Jahrzehnt breiter zum Einsatz kommen soll. FEL — Free-Electron Laser beziehungsweise Freie-Elektronen-Laser, ein beschleunigerbasiertes Lichtquellenkonzept zur möglichen Erzeugung von EUV-Strahlung. DRAM — Dynamic Random-Access Memory, flüchtiger Arbeitsspeicher für Server, PCs, Smartphones und Beschleuniger. HBM — High Bandwidth Memory, gestapelter DRAM mit sehr hoher Datenbandbreite für KI- und Hochleistungsrechner. NAND — Nichtflüchtiger Flash-Speicher für die dauerhafte Datenspeicherung. DUV — Deep-Ultraviolet-Lithografie, eine etablierte optische Strukturierungstechnologie, die durch Mehrfachbelichtung weiter skaliert werden kann. Brutto-Dies pro Wafer — Theoretische Anzahl strukturierter Dies auf einem Wafer, bevor fehlerhafte Dies aus der Zählung entfernt werden.

  7. 14. Sept.

    [063] Industrie Briefing - EUV im Fokus

    Dieser Beitrag wurde mit KI erstellt. Bitte überprüfen Sie die Informationen, wenn Sie sie als Grundlage für Entscheidungen verwenden möchten. Für die Einführung von High-NA EUV gibt es jetzt klarere Zeitmarken: TSMC will 2030 in die Volumenfertigung einsteigen, während Samsung 2028 auf fortschrittliche DRAM-Produktion abzielt. Intels neue Angabe von mehr als einer Million Wafern und imecs Ergebnisse mit chemisch verstärkten Resists zeigen, dass es in der nächsten Phase zunehmend darum geht, Kosten und Integrationsrisiken im Ökosystem zu reduzieren, statt nur nachzuweisen, dass der Scanner drucken kann. Key takeaways: - TSMC beabsichtigt, High-NA EUV ab 2030 in der Volumenfertigung fortschrittlicher Nodes einzusetzen. - ASML und TSMC planen bis 2031 eine Pilotlinie für 12-Zoll-Photomasken und bis 2033 einen Pfad zur Produktionsreife für fortschrittliche Nodes. - Samsung plant, High-NA EUV bis 2028 in die zukünftige DRAM-Volumenfertigung einzuführen, und schließt sich der 12-Zoll-Maskeninitiative an. - Reuters berichtet, dass auch SK hynix ab 2028 High-NA in der Produktion einsetzen will; Micron hat Systeme bestellt, aber noch kein Produktionsdatum genannt. - Intel Foundry und ASML zufolge wurden inzwischen mehr als eine Million Wafer mit High-NA bearbeitet, einschließlich Zertifizierung, Forschung und Entwicklung sowie ausgewählter Panther-Lake-Schichten in der Volumenfertigung. - Imec demonstrierte CAR-basiertes High-NA-Single-Patterning bis hinunter zu 22-nm-Pitch-Linien und 28-nm-Center-to-Center-Vias für logikrelevante Strukturen. - Das imec-Ergebnis deutet darauf hin, dass etablierte chemisch verstärkte Resist-Technologie für mehrere kritische A14/A10-Schichten nutzbar bleiben kann und damit den Integrationsaufwand in der frühen Einführung reduziert. - Samsung und SK hynix lehnten eine vorgeschlagene Vorauszahlung von 25 Billionen Won zur Finanzierung der Strominfrastruktur geplanter koreanischer Halbleiter-Megacluster ab; damit bleibt eine wichtige Frage zur Kapazitätsbereitstellung offen.

  8. 7. Sept.

    [062] Industrie Briefing - EUV im Fokus

    Dieser Beitrag wurde mit KI erstellt. Bitte überprüfen Sie die Informationen, wenn Sie sie als Grundlage für Entscheidungen verwenden möchten. TSMC sagt, dass sein geschätzter Anlagenbedarf für 2026 auf etwa das 1,9-Fache des Ende 2025 prognostizierten Niveaus gestiegen ist. Das zeigt, wie schnell sich die KI-Nachfrage in Fab-Investitionen übersetzt. Diese Woche gibt es außerdem neue Signale zum Ausbau des ASML-Supports in Japan, zu Halbleitermaterial-Kapazitäten in Taiwan, zum Arbeitskampfrisiko bei Micron und zur anhaltenden Lücke zwischen Chinas DUV- und EUV-Fähigkeiten. Key takeaways - TSMC sagt, dass sein geschätzter Bedarf an Halbleiterfertigungsanlagen für 2026 bis Juli auf etwa das 1,9-Fache des Ausgangswerts von Ende 2025 gestiegen ist. - TSMC baut gleichzeitig 13 Fabs in Taiwan und weitere fünf oder sechs im Ausland, kann nach eigenen Angaben aber weiterhin nicht die gesamte Kundennachfrage bedienen. - ASML Japan plant Berichten zufolge, die Belegschaft von derzeit rund 500 auf etwa 700 Beschäftigte bis 2030 zu erhöhen, um Rapidus und weitere Kunden in Japan zu unterstützen. - Die ASML-Engineering-Präsenz in Hokkaido zur Unterstützung von Rapidus ist Berichten zufolge von 24 auf etwa 50 Personen gewachsen. - Solvay will die Kapazität für ultrareines Wasserstoffperoxid in Taiwan bis Ende 2026 von 35.000 auf mehr als 70.000 Tonnen pro Jahr mehr als verdoppeln. - Micron-Gewerkschaften, die etwa 10.000 Beschäftigte in Taiwan vertreten, drohen wegen der Bonusregelung mit Streik; mehr als 80 Prozent unterstützten in einer August-Umfrage Arbeitskampfmaßnahmen. - ZEISS-Halbleiterchef Frank Rohmund bezeichnete rund 15 Jahre als plausible Annahme für die Entwicklung modernster EUV-Technologie in China, betonte aber, dass der tatsächliche Fortschritt von außen schwer messbar ist. - UBS-Analysten schätzen Berichten zufolge, dass chinesische Immersions-DUV-Systeme innerhalb von etwa zwei bis fünf Jahren die Großserienfertigung erreichen könnten. - Der Ausblick der vergangenen Woche zur Frage, ob KI-Nachfrage in stärkere vorgelagerte Verpflichtungen übergeht, hat nun einen konkreten TSMC-Datenpunkt: Der Anlagenbedarf hat sich gegenüber der Planungsbasis von Ende 2025 nahezu verdoppelt. Glossary Extreme Ultraviolet (EUV) — Lithografietechnologie für die modernste Strukturierung von Logik- und Speicherchips. Deep Ultraviolet (DUV) — Ältere optische Lithografietechnologie, die sowohl in fortgeschrittener als auch in ausgereifter Halbleiterfertigung weiterhin unverzichtbar ist. High-volume manufacturing (HVM) — Stabile, wiederholbare Produktion in kommerziellen Wafermengen statt Labor- oder Pilotbetrieb. Dynamic Random-Access Memory (DRAM) — Flüchtige Speichertechnologie für Server, PCs, Mobilgeräte und High-Bandwidth-Memory-Stacks. High Bandwidth Memory (HBM) — Vertikal gestapelter DRAM mit sehr hoher Bandbreite für KI- und Hochleistungsrechnersysteme. Fab — Halbleiterfabrik, in der Wafer prozessiert werden. Field service — Vor-Ort-Installation, Wartung, Reparatur, Kalibrierung und Betriebsunterstützung für Halbleiteranlagen. Ultrareines Wasserstoffperoxid — Hochreine Prozesschemikalie, die in der Halbleiterfertigung umfangreich für die Waferreinigung eingesetzt wird. Anlagenbedarf — Menge und Mischung der Fertigungsanlagen, die ein Chiphersteller zur Unterstützung seiner geplanten Waferkapazität benötigt.

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