新半導体材料「GeSn」の量子・スピン物性解明、東北大が成功した意義

「新半導体材料「GeSn」の量子・スピン物性解明、東北大が成功した意義」　東北大学の好田誠教授らの国際共同研究チームは、新半導体材料のゲルマニウム・スズ（ＧｅＳｎ）の量子井戸構造における量子・スピン物性を解明した。結晶成長技術を持つ独ユーリッヒ研究センターなどと連携し、素子性能を左右する「有効質量」などの測定に成功。スピン量子ドットなどの実証に向け重要な基盤となる。