GaN系次世代光電子ビーム源、半導体製造の革新技術になるか

「GaN系次世代光電子ビーム源、半導体製造の革新技術になるか」　半導体製造の革新技術になるか―。名古屋大学の天野浩教授らが取り組む窒化ガリウム（ＧａＮ）系半導体材料を用いた次世代光電子ビーム源（ＧａＮ系フォトカソード）の研究成果が製造現場で試される。微細構造を非接触、高精度に観察でき、既存の２０倍以上の強度を持つことから半導体の検査・測定技術として産業利用に道筋をつけた。半導体製造のボトルネックとされる歩留まり改善への貢献を目指す。